IT之家 11 月 4 日音信色色色色色色色色色色色色，据路透社本日报谈，韩国 SK 集团会长崔泰源暗示，英伟达 CEO 黄仁勋条件 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。 SK 海力士考虑在 2025 年下半年推出弃取 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 居品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。 SK 海力士和台积电两边于本年 4 月签署了勾搭祥和备忘录色色色色色色色色色色色色，文牍勉强 HBM 内存的基础裸片加强勾搭。 本年 7 月，有