IT之家 11 月 4 日音信色色色色色色色色色色色色，据路透社本日报谈，韩国 SK 集团会长崔泰源暗示，英伟达 CEO 黄仁勋条件 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。

SK 海力士考虑在 2025 年下半年推出弃取 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 居品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。

SK 海力士和台积电两边于本年 4 月签署了勾搭祥和备忘录色色色色色色色色色色色色，文牍勉强 HBM 内存的基础裸片加强勾搭。

本年 7 月，有音信称英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角定约”，为宽贷 AI 时期共同激动 HBM4 等下一代期间。此外，音信称 SK 海力士还是和台积电竣事勾搭，共同盘算推算和坐褥 HBM4 系列的部分居品，并考虑 2026 年启动量产；而英伟达提供居品盘算推算。

SK 海力士 10 月 24 日发布 2024 财年第三季度（死心 2024 年 9 月 30 日）财报，归拢收入为 17.5731 万亿韩元（IT之家备注：现时约 908.35 亿元东谈主民币），环比增长 7%、同比增长 94%。

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在 DRAM 方面，海力士正在从现存的 HBM3 速即诊治至 8 层 HBM3E 居品，况且 9 月启动量产的 12 层 HBM3E 居品按原定考虑将在本年第四季度启动供货。由此，在第三季度 DRAM 总销售额中占据 30% 的 HBM 比重预测在本年第四季度达到 40%。

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